Super Junction MOSFET｜オーエスエレクトロニクス株式会社

Super Junction MOSFETは高耐圧、低オン抵抗及び、ゲート電荷量QG低減の特長を持っています。

onsemi は高効率と高速性を軸に３つのバージョン(グループ)で、

600V、650V、800V耐圧の製品をラインアップしています。

　高効率

　高速スイッチング(PFC向)

・ゲートチャージ： Typ. Qg = 282 nC

・実効出力容量(Effective Output Capacitance):

　Typ. Coss(eff.) =2495 pF

・高速スイッチング：

　tdon:51ns / tr:15ns / tdoff: 100ns / tf: 4.1ns

・Typ. RDS(on) = 15mΩ

・低スイッチング損失

　低EMI

　中高速スイッチング(PFC向、LLC向)

・ゲートチャージ： Typ. Qg = 222 nC

・実効出力容量(Effective Output Capacitance):

　Typ. Coss(eff.) =1980 pF

・Typ. RDS(on) = 19.5mΩ

・低スイッチング損失

・低Vdsピーク

　高速ボディダイオード

　堅牢(PSFB向、LLC向)

・ゲートチャージ： Typ. Qg = 259 nC

・実効出力容量(Effective Output Capacitance):

　Typ. Coss(eff.) =1972 pF

・Typ. RDS(on) = 23mΩ

・低スイッチング損失

・堅牢